机译:具有两步凹陷SiGe-S / D结构的高性能pMOSFET,适用于32 nm及更高节点
机译:利用全面的源极漏极扩展工程技术,针对32 nm节点高性能pMOSFET技术,积极探索嵌入式SiGe的接近性
机译:高性能两步嵌入式SiGe-S / D结构pMOSFET,可产生32mm及以上
机译:具有先进的两步嵌入式SiGe-S / D和应力衬层技术的高性能32 nm节点pMOSFET
机译:新型100nm以下pMOSFET中物理模型的增强和带隙工程的探索。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:PMOSFET以22nm节点CMOS技术为单位使用SIH4和B2H6前体的ALD W填充金属